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首頁(yè) 資料 / 應(yīng)用 硅晶片表面光阻薄膜厚度測(cè)量(UV)

硅晶片表面光阻薄膜厚度測(cè)量(UV)

2020-11-03

很多方法都可以用來(lái)測(cè)量薄膜的厚度。這些方法中,紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)提供了簡(jiǎn)便的、對(duì)薄膜厚度不造成損害的測(cè)量方式。

對(duì)硅片上兩個(gè)不同厚度的光阻層(0.5 µm, 3.0 µm)進(jìn)行測(cè)量。結(jié)果發(fā)現(xiàn),薄膜越薄,波的周期越長(zhǎng),反之亦然。


 

紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)

允許對(duì)所有種類(lèi)的薄膜進(jìn)行簡(jiǎn)易的并且不造成薄膜厚度損害的測(cè)量。從薄膜的前后表面反射出的光相互交叉形成一個(gè)干涉圖。在一定波長(zhǎng)范圍內(nèi),薄膜的厚度可通過(guò)光譜上波的數(shù)量計(jì)算得到(在物質(zhì)的折射率已知的情況下)。