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首頁(yè) 資料 / 應(yīng)用 硅圓上二氧化硅(SiO2)薄膜分析(FTIR)

硅圓上二氧化硅(SiO2)薄膜分析(FTIR)

2020-11-03

硅片上四種不同厚度的二氧化硅(SiO2 )薄膜(0.4, 0.8, 1.3, 4.2 nm)由傅立葉變換紅外光譜儀進(jìn)行分析。

隨著氧化層厚度的降低,1,250 cm-1和1,065 cm-1附近的峰值向低波數(shù)方向移動(dòng)。

為了測(cè)定薄膜厚度與峰值強(qiáng)度的關(guān)系,縱軸為峰值高度,橫值為薄膜厚度。
 

傅立葉變換紅外光譜儀

傅立葉變換紅外光譜儀主要用于測(cè)定有機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)。儀器發(fā)出紅外光,照射到到分子上,分子吸收紅外輻射,該輻射能量等同于組成這些分子的原子間振動(dòng)的能量。然后根據(jù)這些紅外吸收來(lái)預(yù)測(cè)化合物結(jié)構(gòu)以及對(duì)化合物進(jìn)行定量分析。